Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри
Без каких-либо анонсов Samsung изменила начинку популярного SSD. Теперь накопители серии 850 EVO базируются на новой TLC 3D V-NAND третьего поколения с возросшим числом слоёв, увеличенными 256-гигабитными ядрами и более «тонкой» технологией производства. Насколько сильно обновленный Samsung 850 EVO отличается от предыдущего и не пора ли вообще пересмотреть отношение к этому продукту?
Ориентироваться на современном рынке потребительских SSD стало очень непросто. Мало того, что на нём представлено бесчисленное число игроков, дело осложняется ещё и тем, что многие из них совершенно не следят за постоянством характеристик предлагаемой продукции. То и дело оказывается, что в одной и той же модели SSD применяется сначала одна память, потом — другая, а иногда даже разные контроллеры. Происходит так из-за вполне естественного стремления производителей к снижению себестоимости: цены на твердотельные накопители падают, технологии флеш-памяти совершенствуются, и поэтому нет ничего удивительного в том, что платформы, лежащие в основе потребительских SSD, непрерывно эволюционируют.
Проблема же возникает из-за того, что о происходящих в начинке накопителей изменениях считают нужным сообщать далеко не все производители. Пытаясь дополнительно сэкономить на маркетинге, они нередко проводят доработку популярных моделей SSD втихую, продолжая после неё как ни в чём ни бывало продавать видоизменённые накопители под старыми названиями. Конечные же потребители от таких махинаций чаще всего оказываются в проигрыше, поскольку удешевление в большинстве случаев влечёт за собой и ухудшение потребительских характеристик. «Усовершенствованные» модели SSD могут оказаться как медленнее, так и ненадёжнее, но узнать об этом пользователь сможет лишь только после покупки, да и то если будет специально интересоваться внутренним устройством приобретённого продукта.
Именно поэтому мы обычно рекомендуем отдавать предпочтение продукции ведущих производителей SSD – они подобные фокусы почти никогда не вытворяют. Впрочем, бывают и исключения. Например, совсем недавно на прилавках магазинов стали появляться обновлённые накопители Samsung 850 EVO, в которых вместо привычной 32-слойной TLC 3D V-NAND второго поколения применена более новая трёхмерная память третьего поколения, в которой число слоёв увеличено до 48. Сама Samsung при этом считает, что сделала всё по-честному – реальные эксплуатационные характеристики накопителей, с её точки зрения, не поменялись, да и от пользователей произошедшую подмену она не особенно-то и скрывает.
Однако во всём этом можно вполне обоснованно усомниться. Переход на другую память – отнюдь не косметическое изменение как минимум потому, что новая 48-слойная TLC 3D V-NAND имеет совершенно иные характеристики. Во-первых, для её производства используется более тонкий техпроцесс, что наверняка сказывается на ресурсе. Во-вторых, поменялась и её внутренняя организация: TLC 3D V-NAND третьего поколения обладает более ёмкими ядрами, что приводит к уменьшению параллелизма используемых в SSD массивов флеш-памяти. И этих двух факторов уже вполне достаточно для того, чтобы говорить об обновлённом Samsung 850 EVO как о совершенно новой модели SSD, которую объединяет с предшественницей разве только используемый проприетарный контроллер MGX.
Учитывая всё это, мы решили не обходить стороной случившееся, а провести собственное расследование: что поменялось внутри Samsung 850 EVO и как это в конечном итоге на нём сказалось. Может быть, настала пора поменять наше отношение к этому накопителю, который мы до сих пор считали одним из наиболее привлекательных вариантов по сочетанию производительности, надёжности и цены?