Компании Micron Technology и Intel представили новую флеш-память, изготовленную по технологии 3D NAND. Её основное преимущество - возможность создания накопителей с высоким уровнем плотности размещения ячеек. К примеру, с применением 3D NAND создание твердотельного накопителя размером с пластинку жевательной резинки ёмкостью 3,5 ТБ и стандартного твердотельного накопителя форм-фактора 2,5 дюйма объёмом более 10 ТБ теперь является абсолютно выполнимой задачей.



Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:

- увеличенная ёмкость;
- более низкая стоимость на 1 ГБ: первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND;
- высокая скорость работы: большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме;
- низкое энергопотребление: новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счёт обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется);
- интеллектуальный дизайн: инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, тогда как тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии начались, серийное производство новой продукции запланировано на четвёртый квартал этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что данная продукция выйдет на рынок в следующем году.

Джонни отдыхает просто. Сунул, такую вот флешечку, в за ухо , и никто тебя не просечёт